Epitaxia de haces moleculares: Fundamentos y estado actual

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Título original:

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status

Contenido del libro:

Desde que Cho y Arthur utilizaron por primera vez con éxito un aparato de haces moleculares a finales de la década de 1960 para cristalizar e investigar epiláminas de GaAs, las técnicas de crecimiento epitaxial en alto vacío mediante haces de partículas se han desarrollado rápidamente. Este desarrollo se aceleró cuando en la década de 1970 se inventaron distintos dispositivos semiconductores con estructuras de pozos cuánticos.

La importante aplicación de estas estructuras en dispositivos como los láseres de pozos cuánticos, los transistores de alta movilidad electrónica o los fotodiodos de avalancha de superredes dio un nuevo impulso a los trabajos de investigación y al aumento de los objetivos de producción. Coincidiendo con este desarrollo, los trabajos de investigación originales y las revisiones dedicadas a los problemas relativos a estas técnicas de crecimiento también han crecido rápidamente en número, y además se han vuelto muy disversos. En la actualidad, cada año aparecen en la literatura varios centenares de artículos originales sobre este tema.

Sin embargo, en contraste con esto, faltan monografías exhaustivas que abarquen toda la variedad de problemas relacionados con el crecimiento epitaxial de películas semiconductoras a partir de haces atómicos y moleculares. Este libro, que presenta una revisión del estado del arte de la epitaxia de haces moleculares (MBE), aplicada al crecimiento de películas semiconductoras y estructuras multicapa, puede servir al lector como una cómoda guía general de los temas relacionados con esta técnica de cristalización".