Semiconductores disruptivos de banda ancha, tecnologías afines y sus aplicaciones

Título original:

Disruptive Wide Bandgap Semiconductors, Related Technologies, and Their Applications

Contenido del libro:

Los dispositivos de SiC y GaN existen desde hace tiempo. La primera conferencia internacional dedicada al SiC y los dispositivos relacionados, «ICSCRM», se celebró en Washington, DC, en 1987.

Pero la comercialización de los dispositivos de SiC y GaN no se ha producido hasta hace poco. Debido a las propiedades de su material, el Si como semiconductor tiene limitaciones en los regímenes de alta temperatura, alta tensión y alta frecuencia. Con la ayuda de los dispositivos de SiC y GaN, es posible realizar sistemas de alimentación más eficientes.

Los dispositivos fabricados a partir de SiC y GaN ya han tenido un impacto en diferentes áreas gracias a su capacidad para superar a los dispositivos de Si. Algunos ejemplos son las telecomunicaciones, la automoción, la energía y las energías renovables.

Para alcanzar los objetivos de emisiones de carbono fijados por distintos países, es inevitable utilizar estas nuevas tecnologías. Este libro trata de cubrir todas las facetas importantes relacionadas con la tecnología de semiconductores de banda prohibida ancha, incluidos los nuevos retos que plantea.

Este libro está dirigido a estudiantes de posgrado, investigadores, ingenieros y expertos en tecnología que han estado trabajando en los apasionantes campos de los dispositivos de potencia de SiC y GaN.