Redes de carga espacial inducidas ópticamente en semiconductores de banda ancha: técnicas y aplicaciones

Título original:

Optically Induced Space-Charge Gratings in Wide-Bandgap Semiconductors - Techniques & Applications

Contenido del libro:

El efecto fotorrefractivo es uno de los efectos ópticos no lineales de mayor sensibilidad. El ritmo de progreso en el desarrollo de aplicaciones fotorrefractivas se ha visto limitado por el ritmo al que los avances en la ciencia de materiales han proporcionado mejores materiales semiconductores de banda prohibida.

En los últimos años ha aumentado el interés por la caracterización de nuevos materiales semiconductores de banda ancha. La grabación holográfica en materiales fotorrefractivos de banda ancha reviste especial interés desde el punto de vista científico y práctico. Dicha grabación incluye la etapa de formación de carga espacial, que está asociada a la redistribución espacial de los portadores fotoinducidos.

En los últimos años se han propuesto varios métodos nuevos para estudiar la dinámica de la carga espacial y la fotoconductividad en semiconductores de banda ancha. Este libro trata del llamado efecto foto-EMF de estado no estacionario y sus aplicaciones para la caracterización de materiales y la interferometría adaptativa.

La primera parte del libro discute la teoría del efecto foto-EMF de estado no estacionario. La segunda parte describe la aplicación del efecto foto-EMF de estado no estacionario para la investigación de semiconductores de banda prohibida ancha y materiales nanoestructurados, incluyendo sillenitas fotorrefractivas cultivadas en atmósfera de aire y argón, cristal molecular SnS2, cristales de nitruro de boro, GaN y Se de tamaño nanométrico dentro de matrices porosas, cristales de SiC, AlN y Ga2O3. La tercera parte presenta un análisis teórico y una investigación experimental de la fuerza fotoelectromotriz en estado no estacionario y la mezcla de dos ondas en cristales fotorrefractivos bajo iluminación de frecuencia modulada.

La parte final describe los interferómetros adaptativos que utilizan el efecto de la fuerza fotoelectromotriz no estacionaria. Este libro se ha escrito para que sea accesible a los especialistas que trabajan en física del estado sólido, física de semiconductores e interferometría adaptativa, ultrasonidos basados en láser.