Recuerdos Flash

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Título original:

Flash Memories

Contenido del libro:

Una memoria Flash es una memoria no volátil (NVM) cuyas celdas unitarias se fabrican en tecnología CMOS y se programan y borran eléctricamente. En 1971, Frohman-Bentchkowsky desarrollaron un transistor de puerta de polisilicio folante 1, 2, en el que los electrones calientes se inyectaban en la puerta flotante y se eliminaban por fotoemisión interna ultravioleta (UV) o por tunelización Fowler-Nordheim.

Esta es la celda unitaria de la EPROM (memoria de sólo lectura eléctricamente programable), que, al constar de un solo transistor, puede integrarse muy densamente. Las memorias EPROM se programan eléctricamente y se borran mediante exposición a los rayos UV durante 20-30 minutos. A finales de los años 70, se hicieron muchos esfuerzos para desarrollar una EPROM que se pudiera borrar eléctricamente, lo que dio lugar a las EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROMs).

Las EEPROM utilizan el túnel de electrones calientes para la programación y el túnel de Fowler-Nordheim para el borrado. La célula EEPROM consta de dos transistores y un óxido túnel, por lo que su tamaño es dos o tres veces mayor que el de una EPROM.

Sucesivamente, se redescubrió la combinación de programación por portadora caliente y borrado por túnel para conseguir una EEPROM de un solo transistor, denominada Flash EEPROM. La primera célula basada en este concepto se presentó en 1979 3 y el primer producto comercial, un chip de memoria de 256K, fue presentado por Toshiba en 1984 4.

El mercado no despegó hasta que se demostró que esta tecnología era fiable y fabricable 5.