Optimización Del Pulido Químico-Mecánico Para 4H-Sic

Título original:

Chemical Mechanical Polishing Optimization for 4H-Sic

Contenido del libro:

Los sustratos utilizados en el crecimiento epitaxial requieren superficies libres de arañazos. El carburo de silicio (SiC) es un material de sustrato que se utiliza en el crecimiento epitaxial de dispositivos electrónicos de SiC, GaN e InGaN.

Se han realizado estudios preliminares de pulido químico-mecánico (CMP) de obleas de 4H-SiC de 1 3/8» con el fin de identificar los valores de los parámetros de pulido que dan lugar a una tasa máxima de eliminación de material y, por tanto, reducen el tiempo de pulido del sustrato. En estudios anteriores se observó un aumento de la tasa de eliminación de material asociado al aumento de la temperatura de pulido, el pH de la pasta, la presión y la velocidad de la almohadilla de pulido. En el presente estudio, se examinaron de forma independiente los efectos de la temperatura, el pH del lodo, la presión de pulido y la velocidad de la almohadilla de pulido, manteniendo constantes los demás parámetros de pulido.

Las tasas de eliminación de material se determinaron mediante mediciones de la masa de las obleas antes y después del pulido. Se obtuvieron fotografías de puntos específicos de la oblea antes y después de cada periodo de pulido y se compararon con los índices de eliminación calculados.