Nuevos paradigmas de memoria: Fenómenos memristivos y aplicaciones neuromórficas: Debate Faraday 213

Título original:

New Memory Paradigms: Memristive Phenomena and Neuromorphic Applications: Faraday Discussion 213

Contenido del libro:

Dispositivos «inteligentes» a escala atómica, inteligencia artificial, funciones neuromórficas, operaciones lógicas y computacionales alternativas, nuevos paradigmas de almacenamiento de memoria, nanoelectrónica ultrarrápida/bioinspirada/flexible/transparente/eficiente energéticamente: estos conceptos contemporáneos impulsan el desarrollo progresivo de la ciencia y la tecnología, reflejan las expectativas de la sociedad y resuelven sus problemas. Inspiradas en el concepto de memristor (resistencia de memoria), las memorias de acceso aleatorio (ReRAM) de conmutación resistiva basadas en Redox y las memorias de cambio de fase (PCM) se consideran capaces de todas estas operaciones y funcionalidades. Además, los investigadores aspiran a utilizar estos sistemas memristivos para hacer posibles las propiedades fundamentales de la vida, entre ellas el orden, la plasticidad, la respuesta a estímulos, el metabolismo, la homeostasis, el crecimiento y la herencia o reproducción, basándose en las funcionalidades de los sistemas biológicos.

Este volumen, que reúne a expertos de la industria y el mundo académico, abarcará los fundamentos así como las exigencias y limitaciones específicas en, por ejemplo, la selección de materiales, el procesamiento, los sistemas modelo adecuados, los requisitos técnicos y las posibles aplicaciones de dispositivos, proporcionando un puente para terminologías, teorías, modelos y aplicaciones.

Los temas tratados en este volumen incluyen:

ReRAMs de metalización electroquímica (ECM)

ReRAMs de cambio de valencia (VCM)

Memorias de cambio de fase (PCM)

Funciones sinápticas y neuromórficas.