Nanoestructuras de silicio-germanio (Sige): Producción, propiedades y aplicaciones en electrónica

Título original:

Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics

Contenido del libro:

Las nanoestructuras de silicio-germanio (SiGe) abren nuevas perspectivas para mejorar el rendimiento de los dispositivos electrónicos, especialmente los semiconductores. Nanoestructuras de silicio-germanio (SiGe) repasa la ciencia de los materiales de las nanoestructuras y sus propiedades y aplicaciones en distintos dispositivos electrónicos.

La primera parte, introductoria, abarca las propiedades estructurales de las nanoestructuras de SiGe, con un capítulo adicional en el que se analizan las estructuras de banda electrónica de las aleaciones de SiGe. La segunda parte se centra en la formación de nanoestructuras de SiGe, con capítulos sobre distintos métodos de crecimiento cristalino, como la epitaxia de haces moleculares y la deposición química de vapor. Esta parte también incluye capítulos sobre ingeniería de la deformación y modelización. La tercera parte trata de las propiedades materiales de las nanoestructuras de SiGe e incluye capítulos sobre defectos inducidos por la deformación, propiedades de transporte, microcavidades y estructuras láser en cascada cuántica. En la cuarta parte se analizan los dispositivos que utilizan aleaciones de SiGe. Los capítulos tratan de las aplicaciones integradas a ultra gran escala, los MOSFET y el uso del SiGe en distintos tipos de transistores y dispositivos ópticos.

Con sus distinguidos editores y su equipo de colaboradores internacionales, Nanoestructuras de silicio-germanio (SiGe) es una referencia estándar para los investigadores centrados en dispositivos y materiales semiconductores en la industria y el mundo académico, en particular para aquellos interesados en las nanoestructuras.

⬤ Revisa la ciencia de materiales de las nanoestructuras y sus propiedades y aplicaciones en diferentes dispositivos electrónicos.

⬤ Evalúa las propiedades estructurales de las nanoestructuras de SiGe, discutiendo las estructuras de banda electrónica de las aleaciones de SiGe.

⬤ Explora la formación de nanoestructuras de SiGe mediante diferentes métodos de crecimiento cristalino, como la epitaxia de haces moleculares y la deposición química de vapor.