Gestión térmica de la electrónica de nitruro de galio

Título original:

Thermal Management of Gallium Nitride Electronics

Contenido del libro:

Thermal Management of Gallium Nitride Electronics esboza los enfoques técnicos adoptados por los líderes de la comunidad, los retos a los que se han enfrentado y los avances resultantes en este campo. Este libro sirve de referencia única para los investigadores de dispositivos semiconductores compuestos encargados de resolver este reto de ingeniería para los futuros sistemas de materiales basados en semiconductores de banda prohibida ultraancha.

Se incluyen diversas perspectivas, como los métodos de crecimiento del diamante nanocristalino, la integración de materiales de diamante policristalino mediante la unión de obleas y la nueva física del transporte térmico a través de interfaces heterogéneas. En los últimos 10 años, los autores del libro han realizado experimentos pioneros en la integración de capas de recubrimiento de diamante nanocristalino en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores compuestos. Desde entonces, varios grupos han realizado importantes esfuerzos de investigación sobre la integración del diamante y el GaN, lo que ha dado lugar a opciones de gestión térmica activa que no conducen necesariamente a una disminución del rendimiento para evitar el autocalentamiento durante el funcionamiento de estos dispositivos en radiofrecuencia o con conmutación de potencia.

El autocalentamiento se refiere al aumento de la temperatura del canal causado por una mayor transferencia de energía de los electrones a la red a alta potencia. En este libro se describen estos avances.