Fotodetectores miniaturizados de silicio: Nuevas Perspectivas y Aplicaciones

Título original:

Miniaturized Silicon Photodetectors: New Perspectives and Applications

Contenido del libro:

Las tecnologías de silicio (Si) ofrecen una plataforma excelente para el diseño de microsistemas en los que las funcionalidades fotónicas y microelectrónicas se integran monolíticamente en el mismo sustrato. En los últimos años se han desarrollado diversos dispositivos fotónicos pasivos y activos de Si y, entre ellos, los fotodetectores han despertado especial interés en la comunidad científica.

Los fotodiodos de Si suelen diseñarse para operar en longitudes de onda visibles, pero, por desgracia, su empleo en el rango infrarrojo (IR) está limitado debido a la despreciable absorción del Si por encima de 1100 nm, aunque el uso de germanio (Ge) crecido sobre Si ha permitido históricamente ampliar las operaciones hasta 1550 nm. En los últimos años se han logrado avances significativos tanto en la mejora del rendimiento de los fotodetectores basados en Si en el rango visible como en la ampliación de su funcionamiento a longitudes de onda infrarrojas. Se ha demostrado que los fotodetectores SiGe de infrarrojo cercano (NIR) tienen un flujo de proceso CMOS de "cambio cero", mientras que la investigación de nuevos efectos y estructuras ha demostrado que un enfoque totalmente Si podría ser una opción viable para construir dispositivos comparables con la tecnología Ge.

Además, la capacidad de integrar nuevos materiales 2D y 3D emergentes con Si, junto con la capacidad de fabricar dispositivos a escala nanométrica, ha llevado al desarrollo de nuevas familias de dispositivos con un rendimiento inesperado. En consecuencia, este número especial de Micromachines pretende mostrar trabajos de investigación, comunicaciones breves y artículos de revisión que muestren los avances más recientes en el campo de los fotodetectores de silicio y sus respectivas aplicaciones.