Power Electronics Semiconductor Devices
Este libro relata los últimos avances en varios laboratorios clave de I+D en ingeniería eléctrica, centrándose en los interruptores de electrónica de potencia y su uso.
Las primeras secciones tratan de las tecnologías clave de la electrónica de potencia, los MOSFET y los IGBT, incluidas las asociaciones en serie y en paralelo. La siguiente sección examina el carburo de silicio y su potencial para aplicaciones de electrónica de potencia, así como sus limitaciones actuales.
A continuación, una sección específica presenta los condensadores, componentes pasivos clave en la electrónica de potencia, seguidos de un método de modelado que permite calcular las inductancias parásitas, necesarias para la simulación precisa de las formas de onda de conmutación. A continuación se presenta el comportamiento térmico asociado a los interruptores de potencia, y en la última parte se proponen algunas perspectivas interesantes asociadas a la integración de la electrónica de potencia.
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Última modificación: 2024.11.14 07:32 (GMT)