Efectos de la radiación en el carburo de silicio

Título original:

Radiation Effects in Silicon Carbide

Contenido del libro:

El libro revisa las publicaciones más interesantes, en opinión del autor, relacionadas con los defectos de radiación formados en 6H-, 4H- y 3C-SiC bajo irradiación con electrones, neutrones y algunos tipos de iones. Al principio, se discuten los parámetros eléctricos del SiC que hacen que este material sea prometedor para su aplicación en la electrónica moderna. También se consideran las características específicas de la estructura cristalina del SiC. Se demuestra que, cuando se estudian semiconductores de banda prohibida ancha, es necesario tener en cuenta la dependencia de la temperatura de la tasa de eliminación de portadores (ηe), que es un parámetro estándar para determinar la dureza a la radiación de los semiconductores. Se analizan los valores de ηe obtenidos por irradiación de diversos politípos de SiC con conductividad de tipo n y p en relación con el tipo y la energía de las partículas irradiantes. Se consideran los posibles mecanismos físicos de compensación del material dado. Se analiza la influencia ejercida por la energía de las partículas cargadas en el modo en que se forman los defectos de irradiación y se compensa la conductividad en los semiconductores sometidos a irradiación.

Además, se considera la posibilidad de producir una transformación controlada del carburo de silicio de tipo poli. Se analiza la implicación de los defectos de radiación en los procesos de recombinación radiativa y no radiativa en el SiC.

También se presentan datos sobre la degradación de determinados dispositivos electrónicos de SiC bajo la influencia de la radiación y se llega a una conclusión sobre la resistencia a la radiación del SiC. Por último, se compara la resistencia a la radiación de dispositivos basados en silicio y carburo de silicio.