Dispositivos semiconductores de potencia de banda ancha: Materiales, física, diseño y aplicaciones

Título original:

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications

Contenido del libro:

Dispositivos semiconductores de potencia de banda ancha: Materials, Physics, Design and Applications ofrece a los lectores un recurso único sobre por qué estos dispositivos son superiores a los actuales de silicio. El libro sienta las bases para comprender una serie de aplicaciones y los beneficios previstos en materia de ahorro energético.

Escrito por el fundador del Centro de Investigación de Semiconductores de Potencia de la Universidad Estatal de Carolina del Norte (y creador del dispositivo IGBT), el Dr. B.

Jayant Baliga es uno de los expertos mejor considerados en este campo. Así pues, dirige este equipo que revisa exhaustivamente los materiales, la física de los dispositivos, las consideraciones de diseño y las aplicaciones pertinentes que se tratan.