Dispositivos semiconductores avanzados de potencia ultrabaja: Diseño y aplicaciones

Título original:

Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications

Contenido del libro:

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES AVANZADOS DE POTENCIA ULTRABAJA

Escrito y editado por un equipo de expertos en la materia, este nuevo e importante volumen abarca ampliamente el diseño y las aplicaciones de los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico.

Este nuevo y destacado volumen ofrece una visión completa de los componentes semiconductores de vanguardia diseñados para aplicaciones de potencia ultrabaja. Estos componentes, fundamentales en la base de los dispositivos electrónicos, desempeñan un papel central en la configuración del panorama de la electrónica. Centrado en los dispositivos electrónicos emergentes de bajo consumo y su aplicación en ámbitos como la comunicación inalámbrica, la biodetección y los circuitos, este libro constituye un recurso inestimable para comprender este dinámico campo.

El libro, que reúne a expertos e investigadores de diversas facetas del ámbito VLSI, aborda los retos que plantean los dispositivos avanzados de bajo consumo. Este esfuerzo de colaboración pretende impulsar las innovaciones de ingeniería y perfeccionar la aplicación práctica de estas tecnologías. Los capítulos específicos profundizan en temas intrincados como el FET de túnel, los circuitos de dispositivos FET de capacitancia negativa y los FET avanzados adaptados a diversas aplicaciones de circuitos.

Más allá de las discusiones centradas en los dispositivos, el libro profundiza en las complejidades del diseño de sistemas de memoria de bajo consumo, el fascinante reino de la computación neuromórfica y la cuestión fundamental de la fiabilidad térmica. Los autores proporcionan una sólida base en física de dispositivos y circuitos, al tiempo que exploran nuevos materiales y arquitecturas como los transistores construidos con materiales pioneros de canal/dieléctricos. Esta exploración está impulsada por la necesidad de lograr tanto un consumo de energía mínimo como velocidades de conmutación ultrarrápidas, satisfaciendo las incesantes demandas de la industria de los semiconductores. El alcance del libro abarca conceptos como MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, los nodos tecnológicos de 5 y 7 nm, NCFET, materiales ferroeléctricos, oscilación subumbral, materiales de alta k, así como materiales avanzados y emergentes fundamentales para el futuro de la industria de semiconductores.