Dispositivos basados en banda ancha: Diseño, fabricación y aplicaciones

Título original:

Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications

Contenido del libro:

Los semiconductores emergentes de banda ancha (WBG) tienen el potencial de hacer avanzar la industria mundial del mismo modo que, hace más de 50 años, la invención del chip de silicio (Si) hizo posible la era de la informática moderna. Los dispositivos basados en SiC y GaN empiezan a estar más disponibles comercialmente.

Más pequeños, rápidos y eficientes que sus homólogos basados en Si, estos dispositivos basados en GaN también ofrecen una mayor fiabilidad prevista en condiciones de funcionamiento más duras. Además, en este marco, se ha creado una nueva clase de materiales semiconductores de grado microelectrónico que tienen una banda prohibida aún mayor que los semiconductores de banda prohibida ancha previamente establecidos, como el GaN y el SiC, por lo que se denominan materiales de "banda prohibida ultraancha". Estos materiales, entre los que se encuentran el AlGaN, el AlN, el diamante, el Ga2O3 y el BN, ofrecen propiedades teóricamente superiores, como un mayor campo crítico de ruptura, un funcionamiento a temperaturas más elevadas y una tolerancia potencialmente mayor a la radiación.

Estos atributos, a su vez, hacen posible el uso de nuevos y revolucionarios dispositivos para entornos extremos, como los transistores de potencia de alta eficiencia, gracias a la mejora de la figura de mérito de Baliga, los interruptores de potencia pulsada de voltaje ultraalto, los LED UV de alta eficiencia y la electrónica. El objetivo de este número especial es recopilar artículos de investigación de alta calidad, comunicaciones breves y artículos de revisión centrados en el diseño, la fabricación y la caracterización avanzada de dispositivos de banda prohibida ancha.

El número especial también publicará artículos seleccionados del 43º Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, celebrado en Francia (WOCSDICE 2019), que reúne a científicos e ingenieros que trabajan en el área de III-V, y otros dispositivos semiconductores compuestos y circuitos integrados. En particular, se abordan los siguientes temas: - Dispositivos basados en GaN y SiC para aplicaciones de potencia y optoelectrónica - Desarrollo de sustratos de Ga2O3, y crecimiento, dopaje y dispositivos de películas delgadas de Ga2O3 - Material y dispositivos emergentes basados en AlN - Crecimiento epitaxial, caracterización y dispositivos de BN.