Diseño de un LNA con tecnología CMOS de 0,18 um para el frontal del receptor

Título original:

Design of LNA using 0.18 um CMOS Technology for Receiver Front End

Contenido del libro:

Como circuito diferenciado en el front end del receptor, el LNA necesita alta ganancia y bajo Ruido. Este trabajo incluye los resultados de la simulación de la topología diferencial y del circuito mejorado.

El trabajo se realiza para el rango de frecuencias de 2,45 GHz - 2,85 GHz con una frecuencia central de 2,65 GHz. Este trabajo también demuestra la necesidad del diseño de inductores y condensadores en el chip, ya que ocupan un área de silicio muy grande. Los resultados finales de la simulación muestran que se ha alcanzado una ganancia suficiente, ya que reducirá la figura de ruido de los circuitos posteriores en el front-end del receptor.

Aparte de la ganancia de tensión y potencia, también se realizaron simulaciones para GA, Gt, etc., lo que cualifica el diseño. También se ha mostrado el efecto de los parámetros de diseño Lg y Ld, para Ruido y Gian respectivamente.

Al final se incluye un diseño detallado del inductor para mostrar la cantidad de área de silicio que ocupa. Por lo tanto, el trabajo futuro incluye el diseño de inductores y condensadores en chip.