Defectos puntuales en semiconductores del grupo IV: aspectos estructurales y fisicoquímicos comunes

Título original:

Point defects in group IV semiconductors: common structural and physico-chemical aspects

Contenido del libro:

Un modelo microscópico autoconsistente de defectos puntuales individuales y reactivos requiere una conexión fiable con las propiedades estructurales, espectroscópicas y termodinámicas deducidas experimentalmente de los centros del defecto, para permitir su identificación inequívoca.

El objetivo de este libro es centrarse en las propiedades de los defectos en semiconductores del cuarto grupo bajo un enfoque físico-químico, capaz de demostrar si el pleno reconocimiento de su naturaleza química podría dar cuenta de varios problemas encontrados en la práctica o sugeriría nuevos logros experimentales o teóricos.

Se mostrará lo difícil que puede resultar el cumplimiento de las condiciones de autoconsistencia, incluso hoy en día, tras más de cuatro décadas de dedicado trabajo de investigación, especialmente en el caso de los semiconductores compuestos (SiC en este libro), pero también en los casos aparentemente más sencillos del silicio y el germanio también porque los modelos microscópicos no dan cuenta, a chorro, de las interacciones de los defectos en los sólidos reales.