Caracterización óptica de capas semiconductoras epitaxiales

Título original:

Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers

Contenido del libro:

La caracterización de las capas epitaxiales y sus superficies se ha beneficiado mucho del enorme progreso de las técnicas de análisis óptico durante la última década.

En particular, la espectacular mejora de la calidad estructural de las epiláminas y heteroestructuras semiconductoras se debe en gran medida al nivel de sofisticación alcanzado con dichas técnicas de análisis. En primer lugar, las técnicas ópticas no son destructivas y su sensibilidad se ha mejorado hasta tal punto que hoy en día el análisis de epiláminas puede realizarse en capas con espesores a escala atómica.

Además, la resolución espacial y temporal se ha llevado a tales límites que la observación en tiempo real de los procesos superficiales durante el crecimiento epitaxial es posible con técnicas como la espectroscopia de diferencia de reflectancia. Por supuesto, las espectroscopias ópticas complementan a las técnicas basadas en la interacción de los electrones con la materia, pero mientras que estas últimas suelen requerir condiciones de alto o ultraalto vacío, las primeras pueden aplicarse también en distintos entornos. Esta ventaja podría resultar extremadamente importante desde un punto de vista más bien tecnológico, es decir, para la vigilancia de los modernos procesos de semiconductores.

A pesar del gran potencial de las técnicas basadas en la interacción de las ondas electromagnéticas con las superficies y las epiláminas, aparentemente las técnicas ópticas sólo avanzan lentamente en este campo de la tecnología. Una de las razones podría ser que aún existen algunos prejuicios sobre su sensibilidad.