Caracterización eléctrica y térmica de MESFET, HEMT y HBT

Título original:

Electrical and Thermal Characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs

Contenido del libro:

Este trabajo ofrece un análisis exhaustivo de la dependencia del sesgo de los parámetros del circuito equivalente para los tres dispositivos y un amplio análisis de la dependencia de la temperatura.

Abarca los MESFET grabados y los MESFET autoalineados con y sin drenajes ligeramente dopados y los JFET, analiza los circuitos equivalentes pHEMTS basados en GaAs y los HEMT de InP con acoplamiento reticular y describe un extractor de modelos de gran señal dependiente de la temperatura para los HBT A1GaAs-GaAs. El libro está dirigido a diseñadores de circuitos, desarrolladores de procesos y dispositivos e ingenieros de pruebas.