Caracterización de dispositivos semiconductores de potencia de banda ancha

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Título original:

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Contenido del libro:

En el corazón de los modernos convertidores electrónicos de potencia se encuentran los dispositivos de conmutación semiconductores de potencia. La aparición de dispositivos semiconductores de banda prohibida ancha (WBG), como el carburo de silicio y el nitruro de galio, promete convertidores de electrónica de potencia más eficientes, pequeños, ligeros y baratos que los que utilizan dispositivos de silicio. Sin embargo, los dispositivos WBG plantean nuevos retos para el diseño de convertidores y requieren una caracterización más cuidadosa, en particular debido a su rápida velocidad de conmutación y a la necesidad más estricta de protección.

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presenta métodos completos con ejemplos para la caracterización de esta importante clase de dispositivos de potencia. Tras una introducción, el libro cubre la caracterización estática pulsada; la caracterización de la capacitancia de la unión; los fundamentos de la caracterización dinámica; el accionamiento de la puerta para la caracterización dinámica; el diseño de la disposición y la gestión parasitaria; el diseño de la protección para la prueba de doble pulso; la medición y el procesamiento de datos para la caracterización dinámica; la consideración de la diafonía; el impacto del sistema trifásico; y las consideraciones topológicas.

Este libro está dirigido a investigadores e ingenieros implicados en el desarrollo de productos y tecnologías de electrónica de potencia basados en WBG. También está dirigido a estudiantes de posgrado e ingenieros en activo que trabajen en el desarrollo de dispositivos WBG, envasado de electrónica de potencia, desarrollo de tecnología para mediciones eléctricas e instrumentación.