Bipola de heterounión de silicio y germanio

Opiniones de los lectores

El libro está recomendado para estudiantes de física de semiconductores y proporciona discusiones en profundidad sobre SiGe HBTs, ruido, linealidad y temas a nivel de circuito. Sin embargo, puede no ser adecuado para los diseñadores de circuitos que prefieren enfoques diferentes para analizar las no linealidades.

Cobertura en profundidad de la física de semiconductores, autoridad en HBTs de SiGe, incluye discusiones detalladas sobre ruido y linealidad, técnicas prácticas de medida, adecuado para estudiantes e ingenieros de nivel superior.

No es adecuado para diseñadores de circuitos a los que no les gusta la serie de Volterra para analizar las no linealidades, carece de longitud suficiente para una cobertura exhaustiva.

(basado en 2 opiniones de lectores)

Título original:

Silicon-Germanium Heterojunction Bipola

Contenido del libro:

Este recurso proporciona a los ingenieros un tratamiento exhaustivo de los transistores bipolares de heterounión silicio-germanio (SiGe HBT), una tecnología de semiconductores que se espera que revolucione la industria de las comunicaciones al ofrecer soluciones de bajo coste y alta velocidad para las necesidades de comunicaciones emergentes.

Ofrece a profesionales y estudiantes una comprensión desde la base de los dispositivos y la tecnología SiGe HBT desde una perspectiva muy amplia. El texto abarca la motivación, la historia, los materiales, la fabricación, la física de los dispositivos, los principios operativos y las propiedades a nivel de circuito asociadas al SiGe.

Esta referencia explica cómo diseñar, simular, fabricar y medir un HBT de SiGe, y ofrece una comprensión de los problemas de optimización y las compensaciones de diseño de los HBT de SiGe y los circuitos de RF/microondas construidos con esta nueva tecnología.